* Opération
1.7 Volts.
* Mémoire
du signal de terminaison à l'intérieur de la puce de
mémoire (On Die Termination) pour éviter les erreurs
de transmission signal réfléchi.
* Améliorations
opérationnelles augmentant la mémoire, l'efficacité
et le calendrier des marges.
*
CAS de latence: 5 (Ultra Low Latency) et 7 (Low
Latency).
* Actuellement
disponible en vitesse allant jusqu'à 2 GHz et des
capacités de 2 Go, 3 Go, 4 Go et kits.
*
Les modules de mémoire DDR3 ne sont pas rétro-compatibles
DDR2 et DDR de mères, en raison de l'incompatibilité
du module de connexions (nombre de broches), de
tension et de la technologie DRAM. Les HyperX modules
sont disponibles en simple, double et triple-channel
kits mémoire.